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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE350184C
K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER
N-CHANNEL HJ-FET
FEATURES
?
Super low
noise figure and high associated gain
NF
=
0.7 dB T
YP., Ga
=
13.5 dB T
YP. @ f =
20 GHz
?
Micro-X ceramic (84C) package
APPLICATIONS
?
20 GHz-band DBS LNB
?
Other K-band communication systems
ORDERING INFORMATION
Part Number
Order Number
Package
Quantity
Marking
Supplying Form
NE350184C-T1
NE350184C-T1-A
1 kpcs/reel
A
NE350184C-T1A
NE350184C-T1A-A
84C (Pb-Free)
5 kpcs/reel
? 12 mm wide embossed taping
? Pin 4 (Gate) faces the perforation side
of the tape
Remark
To
order evaluation samples, contact y
our nearby
sales office.
Part number for sample order: NE350184C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA
= +25
°C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain to Source Voltage
VDS
4
V
Gate to Source Voltage
VGS
?3
V
Drain Current
ID
IDSS
mA
Gate Current
IG
80
μA
Total Power Dissipation
P
Notetot
165
mW
Channel Temperature
Tch
+150
°C
Storage Temperature
Tstg
?65 to +150
°C
Note
Mounted on 1.08 cm2
×
1.0 mm (t) glass epoxy
PCB
Document No. PG10584EJ01V0DS (1st edition)
Date Published November 2005 CP(K)
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